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后曝光氮?dú)夂嫦?,PEB無塵烘箱

后曝光氮?dú)夂嫦?,PEB無塵烘箱

簡要描述:

后曝光氮?dú)夂嫦?,PEB無塵烘箱所使用的高溫(100-130°C)會(huì)使光敏化合物擴(kuò)散,從而消除駐波波紋.百級(jí)潔凈度無塵化,專用于半導(dǎo)體,集成電路。

后曝光氮?dú)夂嫦?,PEB無塵烘箱應(yīng)用工藝

   無塵烘箱所使用的高溫(100-130°C)會(huì)使光敏化合物擴(kuò)散,從而消除駐波波紋.百級(jí)潔凈度無塵化,專用于半導(dǎo)體,集成電路。

  一種減少駐波效應(yīng)的方法稱為后曝光烘烤(PEB)。所使用的高溫(100-130°C)會(huì)使光敏化合物擴(kuò)散,從而消除駐波波紋。重要的是要注意,高溫對光刻膠的有害影響,如上所述的PAB,也適用于PEB。因此,優(yōu)化烘烤條件變得非常重要。此外,曝光產(chǎn)物的擴(kuò)散速率取決于PAB條件-存在溶劑可以增強(qiáng)PEB過程中的擴(kuò)散。因此,低溫后曝光烘烤可以在給定的PEB溫度下產(chǎn)生更大的擴(kuò)散。

  對于常規(guī)光刻膠,PEB的主要意義在于消除駐波的擴(kuò)散。對于另一類稱為化學(xué)增強(qiáng)光刻膠的光刻膠,PEB是產(chǎn)生曝光和未曝光部分光刻膠可溶解度差異的化學(xué)反應(yīng)的必要組成部分。對于這些光刻膠,曝光產(chǎn)生一小部分強(qiáng)酸,它本身不會(huì)改變光刻膠的溶解度。在后曝光烘烤期間,這種光產(chǎn)生的酸催化了一種反應(yīng),改變了光刻膠中聚合物樹脂的溶解度。對于化學(xué)增強(qiáng)光刻膠,PEB的控制非常關(guān)鍵。

后曝光氮?dú)夂嫦?,PEB無塵烘箱性能

潔凈度:Class100;     

溫度:RT+15~300℃;
工藝氣體:N2 

計(jì)時(shí)功能:0-99H99M99S 

設(shè)備材質(zhì):內(nèi)部SUS304不銹鋼           

工作尺寸(mm):

450×450×450(4)

500×500×550(6)

600×600×700(8)

(可定制)          

網(wǎng)板:活動(dòng)式2塊

無塵烘箱,百級(jí)潔凈烘箱適用性:

氮?dú)夂嫦湟策m用于IC封裝、光刻膠固化、銀膠固化、電子液晶顯示、LCD、CMOS、MEMS、醫(yī)藥、實(shí)驗(yàn)室等生產(chǎn)及科研.



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